MOCVD LED Epi Susceptor

VeTek SemiconductorsMOCVD LED Epi Susceptorär en kärnkomponent. I beredningsprocessen av halvledarenheter,MOCVD LED Epi Susceptorär inte bara en enkel uppvärmningsplattform, utan också ett precisionsprocessverktyg, som har en djupgående inverkan på kvaliteten, tillväxthastigheten, enhetligheten och andra aspekter av tunnfilmsmaterial.

De specifika användningarna avMOCVD LED Epi Susceptori halvledarbearbetning är följande:

Underlagsuppvärmning och enhetlighetskontroll:

MOCVD Epitaxi Susceptor används för att ge jämn uppvärmning för att säkerställa stabil temperatur på substratet under epitaxiell tillväxt. Detta är viktigt för att erhålla högkvalitativa halvledarfilmer och säkerställa konsistens i tjocklek och kristallkvalitet hos epitaxiella skikt över substratet.

Stöd för kemisk ångdeposition (CVD) reaktorkammare:

Som en viktig komponent i CVD-reaktorn stöder Susceptor avsättningen av organiska metallföreningar på substrat. Det hjälper till att exakt omvandla dessa föreningar till fasta filmer för att bilda de önskade halvledarmaterialen.

Främja gasdistribution:

Designen av Susceptor kan optimera flödesfördelningen av gaser i reaktionskammaren, vilket säkerställer att reaktionsgasen kommer i kontakt med substratet jämnt, vilket förbättrar likformigheten och kvaliteten hos epitaxiella filmer.

Du kan vara säker på att köpa anpassadMOCVD LED Epi Susceptorfrån oss ser vi fram emot att samarbeta med dig. Om du vill veta mer information kan du kontakta oss omedelbart så svarar vi dig i tid!

Grundläggande fysikaliska egenskaper för CVD SiC-beläggning:

Produktionsbutiker:

Översikt över halvledarchipets epitaxiindustrikedja：