> Nyheter

Nyheter

Utvecklingshistorien för 3C SiC

Genom kontinuerliga tekniska framsteg och djupgående mekanismforskning förväntas 3C-SiC heteroepitaxiella teknologin spela en viktigare roll i halvledarindustrin och främja utvecklingen av högeffektiva elektroniska enheter.

Läs mer

ALD Atomic Layer Deposition Recept

Spatial ALD, rumsligt isolerad atomskiktsdeposition. Skivan rör sig mellan olika positioner och exponeras för olika prekursorer vid varje position. Figuren nedan är en jämförelse mellan traditionell ALD och rumsligt isolerad ALD.

Läs mer

Tantalkarbidteknik genombrott, SiC epitaxiell förorening minskat med 75%?

Nyligen har det tyska forskningsinstitutet Fraunhofer IISB gjort ett genombrott inom forskning och utveckling av tantalkarbidbeläggningsteknologi, och utvecklat en spraybeläggningslösning som är mer flexibel och miljövänlig än CVD-depositionslösningen, och har kommersialiserats.

Läs mer

Undersökande tillämpning av 3D-utskriftsteknik i halvledarindustrin

I en tid av snabb teknisk utveckling förändrar 3D-utskrift, som en viktig representant för avancerad tillverkningsteknik, gradvis ansiktet för traditionell tillverkning. Med den kontinuerliga mognad av teknik och minskning av kostnaderna har 3D-utskriftsteknik visat breda tillämpningsmöjligheter ino......

Läs mer

Silicon(Si) epitaxiberedningsteknik

Enkristallmaterial ensamma kan inte möta behoven hos den växande produktionen av olika halvledarenheter. I slutet av 1959 utvecklades ett tunt lager av enkristallmaterialtillväxtteknologi - epitaxiell tillväxt.

Läs mer

Baserat på 8-tums kiselkarbid enkristalltillväxtugnsteknologi

Kiselkarbid är ett av de idealiska materialen för att tillverka enheter med hög temperatur, hög frekvens, hög effekt och hög spänning. För att förbättra produktionseffektiviteten och minska kostnaderna är beredningen av kiselkarbidsubstrat av stor storlek en viktig utvecklingsriktning.

Läs mer

<...6 7 8 9 10 >