VeTek Semiconductor'TaC Coating Planetary Susceptor är en exceptionell produkt för Aixtrons epitaxiutrustning. Den robusta TaC-beläggningen ger utmärkt högtemperaturbeständighet och kemisk tröghet. Denna unika kombination säkerställer pålitlig prestanda och lång livslängd, även i krävande miljöer. VeTek har åtagit sig att tillhandahålla högkvalitativa produkter och fungera som en långsiktig partner på den kinesiska marknaden med konkurrenskraftiga priser.
Inom halvledartillverkningen spelar TaC Coating Planetary Susceptor en avgörande roll. Det används i stor utsträckning vid tillväxten av epitaxiella lager av kiselkarbid (SiC) i utrustning som Aixtron G5-systemet. Vidare, när den används som en yttre skiva i tantalkarbid (TaC) beläggningsavsättning för SiC-epitax, ger TaC Coating Planetary Susceptor väsentligt stöd och stabilitet. Det säkerställer enhetlig avsättning av tantalkarbidskiktet, vilket bidrar till bildandet av högkvalitativa epitaxiella skikt med utmärkt ytmorfologi och önskad filmtjocklek. TaC-beläggningens kemiska tröghet förhindrar oönskade reaktioner och kontaminering, bibehåller integriteten hos de epitaxiella skikten och säkerställer deras överlägsna kvalitet.
TaC-beläggningens exceptionella värmeledningsförmåga möjliggör effektiv värmeöverföring, främjar enhetlig temperaturfördelning och minimerar värmespänningen under den epitaxiella tillväxtprocessen. Detta resulterar i produktion av högkvalitativa SiC epitaxiella skikt med förbättrade kristallografiska egenskaper och förbättrad elektrisk ledningsförmåga.
De exakta dimensionerna och robusta konstruktionen av TaC Coating Planetary Disk gör den enkel att integrera i befintliga system, vilket säkerställer sömlös kompatibilitet och effektiv drift. Dess pålitliga prestanda och högkvalitativa TaC-beläggning bidrar till konsekventa och enhetliga resultat i SiC-epitaxiprocesser.
Lita på VeTek Semiconductor och vår TaC Coating Planetary Disk för exceptionell prestanda och tillförlitlighet i SiC-epitaxi. Upplev fördelarna med våra innovativa lösningar som placerar dig i framkanten av tekniska framsteg inom halvledarindustrin.
Fysiska egenskaper hos TaC-beläggning | |
Densitet | 14,3 (g/cm³) |
Specifik emissionsförmåga | 0.3 |
Termisk expansionskoefficient | 6,3 10-6/K |
Hårdhet (HK) | 2000 HK |
Motstånd | 1×10-5 Ohm*cm |
Termisk stabilitet | <2500℃ |
Grafitstorleken ändras | -10~-20um |
Beläggningstjocklek | ≥20um typiskt värde (35um±10um) |