TaC-belagd deflektorring

VeTek Semiconductors TaC-belagda deflektorring är en mycket specialiserad komponent designad för SiC-kristalltillväxtprocesser. TaC-beläggningen ger utmärkt högtemperaturbeständighet och kemisk tröghet för att klara de höga temperaturerna och korrosiva miljöerna under kristalltillväxtprocessen. Detta säkerställer stabil prestanda och lång livslängd för komponenten, vilket minskar frekvensen av utbyte och stilleståndstid. Vi är fast beslutna att tillhandahålla kvalitetsprodukter till konkurrenskraftiga priser och ser fram emot att vara din långsiktiga partner i Kina.

Skicka förfrågan

Produktbeskrivning

VeTek Semiconductor är en professionell tillverkare och leverantör av TaC-belagda deflektorringar i Kina. Vår TaC-belagda deflektorring är högt specialiserade komponenter designade för användning i SiC-kristalltillväxtprocesser. Dessa komponenter är kritiska i miljöer som kräver hög temperaturbeständighet, exceptionell hållbarhet och oöverträffad kemisk tröghet.

TaC-belagda deflektorringar är tillverkade av tantalkarbid med hög renhet, som erbjuder utmärkt värmeledningsförmåga och extremt motstånd mot höga temperaturer och termisk chock. Komponentens TaC-beläggning ger ett extra lager av skydd mot aggressiva kemikalier och hårda miljöer som är vanliga vid kristalltillväxt. Närvaron av beläggningen ökar komponentens hållbarhet och livslängd och bibehåller konsekvent prestanda under flera cykler.

TaC Coated Deflector Ring tål temperaturer upp till 2200°C, vilket gör den idealisk för processer med hög temperatur. TaC Coated Deflector Ring används främst inom halvledarindustrin, speciellt för kristalltillväxt av kiselkarbid. Lämplig för både forsknings- och industriell skala kristalltillväxtreaktorer.

Produktparameter för den TaC-belagda deflektorringen

Fysiska egenskaper hos TaC-beläggning
Densitet	14,3 (g/cm³)
Specifik emissionsförmåga	0.3
Termisk expansionskoefficient	6,3 10-6/K
Hårdhet (HK)	2000 HK
Motstånd	1×10-5 Ohm*cm
Termisk stabilitet	<2500℃
Grafitstorleken ändras	-10~-20um
Beläggningstjocklek	≥20um typiskt värde (35um±10um)